I
infinite_gbps
Guest
Může mi někdo pomoci s koncentrovaný prvkem modelu N-kanálový režim vyčerpání MOSFET?Jeden, který nemá tělo diody v něm (používán jako switch).
Pokud někdo může psát, nebo schematický výkres, že by bylo velmi ocenil.
Našel jsem to jednou a myslím, že stačí odstranit diody.Chtěl bych být zkrat těla zdroje.<img src="http://img29.imageshack.us/img29/8338/fetmodel.png" border="0" alt="Need Help: Lumped Element Model of a MOSFET in PSPICE" title="Potřebujete pomoc: koncentrovaný Element Model MOSFET v PSPICE"/>Vím, že všechny hodnoty, lze vypočítat, ale nevím, jak používat Idrain v modelu.To by musel být nastaven na rovnici pro vypouštěcí proud (vyčerpávání rovnice)?Pokud ano, jak to mám udělat v koření, tj. provést toto napětí kontrolované zdroj proudu?
Jakýkoliv pomoci chtěl bych být ocenil!
Pokud někdo může psát, nebo schematický výkres, že by bylo velmi ocenil.
Našel jsem to jednou a myslím, že stačí odstranit diody.Chtěl bych být zkrat těla zdroje.<img src="http://img29.imageshack.us/img29/8338/fetmodel.png" border="0" alt="Need Help: Lumped Element Model of a MOSFET in PSPICE" title="Potřebujete pomoc: koncentrovaný Element Model MOSFET v PSPICE"/>Vím, že všechny hodnoty, lze vypočítat, ale nevím, jak používat Idrain v modelu.To by musel být nastaven na rovnici pro vypouštěcí proud (vyčerpávání rovnice)?Pokud ano, jak to mám udělat v koření, tj. provést toto napětí kontrolované zdroj proudu?
Jakýkoliv pomoci chtěl bych být ocenil!