LDMOS je příčným DMOS (vysoké napětí NMOS) Jeho struktura je konstruován tak, aby tranzistor může být použit pro vysoké napětí a je boční v průřezu.IV vlastnosti jsou podobné jako NMOS, s výjimkou, kdy se napětí zvyšuje bráně nad určitou částku, pak současný nemůže dále zvyšovat, a to nasycené mastné kyseliny.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
