Jak se zvýšení vbs zvýšení id v posílení MOSFET

S

sridhara

Guest
Jak se zvýšení vbs zvýšení id v MOSFET .....?? vylepšení

 
nárůst ve výsledcích VBS v akci těla terminálu jako další branou MD vede k nárůstu id ....ale mohlo by to poškodit mos ...

 
snižuje prahové napětí, a tak mozků současných zvyšuje.

 
Anand,
může u vysvětlit mi, jak založit Wil působit jako další GATE ......
zvýšení vbs Wil snížit vylučování region mezi zdrojem a tělo i BT D a tělo .... ale kanál Délka nebo šířka zůstanou stejné??

 
Pokud jste si představit, dioda mezi tělem a zdroj pak víc dopředu zaujatosti, že (až limit) více aktuální.jak to je také příčinou změn v mozků současných to může být myšlenka druhé brány, a tak jen 'back brány'.sohiltri napsal:

Anand,

může u vysvětlit mi, jak založit Wil působit jako další GATE ......

zvýšení vbs Wil snížit vylučování region mezi zdrojem a tělo i BT D a tělo .... ale kanál Délka nebo šířka zůstanou stejné??
 
když vbs je incresed proud teče z volně ložené zdroj, který se následně přijata mozků ........mohu říct, že takhle mohu předpokládat, že tak .......

 
ale tělo je zaujatost na většině negativní potenciál .... takže i když zvýšení VBS u ur pouze decreasin zvrátit zaujatost diody u považována mezi zdrojem a tělo .... u nemůže říct, že wil být zvýšení běžných kvůli tok z těla zdroj .... vysvětlete mi, jestli jsem se spletl .....

 
Ne, ne sohiltri myslíte špatně .....Část nesmí být připojen do nejnižší možné dostupné ve vašem obvodu .......

V digitálním designu jsme se připojit ke zdroji (tam, kde může být nějaký potenciál), aby se zamezilo růstu VT ...

V analogové design je kladen na nejmenší potenciální bodu okruhu ......
Doufám, že mám pravdu ....

 
Ano, doprava .... tak v analogové stále je to v opačném zaujatost ..???? Tak jak proud bude téct ...

 
samozřejmě aktuální nebude proudit mezi zdrojem a bulk ...... Co vaše pochybnosti ....

 
když vbs je incresed proud teče z volně ložené zdroj, který se následně přijata mozků ........mohu říct, že takhle mohu předpokládat, že tak .......ur odpověď na vaše předchozí post ..... pak dokonce nárůst VBS nedopustí tok proudu ... Tak jak Id zvyšuje??

 
Ne myslím, že nemusíte dostat můj názor ....

Tam může být libovolná Id po kanálu formace ..... tak předpokládat, že je nějaký průkaz a nyní žádáte nějaké VBS pak Id zvýší .....to je důvod, proč jsem řekl ...

"Když vbs je incresed proud teče z hromadné na zdroj, který se následně přijata mozků ........ můžu říct, že takhle mohu předpokládat, že tak ......."

Dostáváte obraz nyní ....

 
Ahoj, jak se stává ...zvýšení VBS může zvýšit stávající pouze mezi bulk a zdroj ...jak by to mohlo být až do mozků ...jako differnt potenciály se používají mezi zdrojem do kanalizace a zdroj pro hromadné ...

 
Máte-li analyzovat správně, můžete zjistit, že brána napětí a tělesné napětí jsou opačné polarity a tím i tělo terminálu skutečně AIDS v nárůstu hloubky kanálu a účinně působí jako další brána, tj. backgate ...To vede ke zvýšení Id ...

Je to v pořádku u sohiltri ....Doufám, že u brát bod teď ...

 
Anand,

U říci THT vzít v úvahu při NMOS ... brána je uplatňována pozitivní potenciál pro tvorbu .... kanál, a tak místo toho, spojovací těla source tak vbs = 0 ..... jsme se připojit tělo pozitivní potenciál WRT source .. tedy zvýšení VBS ...... teď tělo i brána jsou na stejném potenciálu ..... To zase sníží hloubku kanálu ....

Jsem zmaten ... Prosím, opravte mě .....

 
v případě brány NMOS je použita pozitivní ...zdroj se používá negativní a tak tělo terminálu by měla být použita více negativních než to backbias tělo source dioda ....což znamená, že negativní potenciál na tělo terminálu je budeme tlačit více zdarma ke kanálu dále pomáhat kanál formace ....

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top