S
Staříč
Guest
Jak simulovat poplatku čerpadlo okruhu?Které simulace je třeba udělat?AC, tran nebo DC?Díky.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
I
ipierre
Guest
Charge Pump obvodu je běžně používaný pomíjivosti simulace.
Tím, načasování, je provozován ...
Tím, načasování, je provozován ...
M
Mircea
Guest
měli byste simulovat to, jak jste simulovat jakýkoli jiný okruh.první DC, kontrola provozních bodů, než přechodné - zkontrolujte aktuální vyhovující a čas odezvy!
pokud je RF poplatek čerpadlo, že by bylo dobré ideea běžet přechodné spolu s loop filtr & PFD.
pokud nemáte PFD jen nastavit zdroje, jako byste mít.
BR,
M
pokud je RF poplatek čerpadlo, že by bylo dobré ideea běžet přechodné spolu s loop filtr & PFD.
pokud nemáte PFD jen nastavit zdroje, jako byste mít.
BR,
M
B
bill_sun
Guest
PFD by měly být zahrnuty do CKT při tom tran analýzy.
D
deh_fuhrer
Guest
Má někdo knihy:
1.Charge Pump obvodu
podle Feng Pan, Tapan Samaddar
McGraw-Hill Professional, 1. vydání (19. července 2006)
Napětí zařízení 2.High a obvody v Standard CMOS
Technologie
podle Husajna Ballan, Michel Declercq
Vydavatel: Springer, 1. vydání (31. října 1998)
3.Smart Napájení ICS: technologie a aplikace
(Springer série v Advanced Microelectronics)
B. Murari, F. Bertotti, Bruno Murari
Vydavatel: Kluwer Academic Publishers, 2 vydání
(02.11.2005)
4.Multi-napětí CMOS obvodů
Volkan Kursun, eby G. Friedman
ISBN: 0-470-01023-1
Wiley
1.Charge Pump obvodu
podle Feng Pan, Tapan Samaddar
McGraw-Hill Professional, 1. vydání (19. července 2006)
Napětí zařízení 2.High a obvody v Standard CMOS
Technologie
podle Husajna Ballan, Michel Declercq
Vydavatel: Springer, 1. vydání (31. října 1998)
3.Smart Napájení ICS: technologie a aplikace
(Springer série v Advanced Microelectronics)
B. Murari, F. Bertotti, Bruno Murari
Vydavatel: Kluwer Academic Publishers, 2 vydání
(02.11.2005)
4.Multi-napětí CMOS obvodů
Volkan Kursun, eby G. Friedman
ISBN: 0-470-01023-1
Wiley
G
gevy
Guest
Mám naskenované knihy
Napětí zařízení 2.High a obvody v Standard CMOS
Technologie
podle Husajna Ballan, Michel Declercq
Napětí zařízení 2.High a obvody v Standard CMOS
Technologie
podle Husajna Ballan, Michel Declercq
V
vijay_nag
Guest
přechodové analýzy.použít frekvenční detektor nebo zapnutí / vypnutí zdroje proudu a umyvadlem
A
abhi_4_u
Guest
DC analýza>> AC analýza>> přechodové analýzy.
Zahrnout PFD n postupujte podle následujících kroků.
Zahrnout PFD n postupujte podle následujících kroků.
A
andy2000a
Guest
Pokud chcete design využití energie chargePump
Ti viz datasheet nebo jiné, jako je AAT3110
měli byste vědět, poplatek čerpadlo použití 4 mos přepínač
PMOS nebo NMOS?-> Prosím zamyslete se znovu
a jak velké zařízení, jak velký hnací proud?
a poplatek čerpadlo hodiny?
v gernerl použití 500K ~ 1M a vnější Cap 0,1 ~ 1U Load = 50 ~ 80 mA
pokud Load = 10m -> snadné design
Dalším problémem je Vin = fix 2.7V nebo 2.7 ~ 5V
?
chargePump pouze provincii x2 napětí, používáme Vin 2.7V je min vstup
Pokud potřebujete Vin nízké až 0,9 ~ 1V -> použití cívky Boost je lepší
Ti viz datasheet nebo jiné, jako je AAT3110
měli byste vědět, poplatek čerpadlo použití 4 mos přepínač
PMOS nebo NMOS?-> Prosím zamyslete se znovu
a jak velké zařízení, jak velký hnací proud?
a poplatek čerpadlo hodiny?
v gernerl použití 500K ~ 1M a vnější Cap 0,1 ~ 1U Load = 50 ~ 80 mA
pokud Load = 10m -> snadné design
Dalším problémem je Vin = fix 2.7V nebo 2.7 ~ 5V
?
chargePump pouze provincii x2 napětí, používáme Vin 2.7V je min vstup
Pokud potřebujete Vin nízké až 0,9 ~ 1V -> použití cívky Boost je lepší