H
hitbuyi
Guest
Teplo MOSFET Má tepla MOSFET způsobené jejím vedením ztráty nebo spínací ztráty? nebo obojí? pokud je teplo MOSET causd jak jeho ztráty ve vedení a spínací ztráty, které je dominantou důvod? děkuji u Rg.
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
F
FvM
Guest
Obecně oba. Je to snadné snížit ztráty ve vedení tím, že používá větší oblast FET. Bohužel, spínací ztráty obvykle zvyšují. Spínací ztráty lze minimalizovat však laděním brány průběhy. Rovněž rezonanční topologie (ZCS nebo ZVS), jsou cestou k jeho snížení.
H
hitbuyi
Guest
je zde vzorec pro výpočet ztráty ve vedení a spínací ztráty?
A
andre_teprom
Guest
Ztráty ve vedení lze odhadnout integrovat stávající (IDS) versus napětí (VDS) s časem. Nicméně, spínací ztráty je těžší, protože závisí na kapacitě bráně řidiče. (Pomalejší rychlost přeběhu zvyšuje comutation trvání, a tak, rozptýlení trvání) + + +