F
fanrong
Guest
Ahoj všichni: Mám jednu otázku: Pro diodu, GM = Id / VT, takže když se Id PTAT, pak VF je nezávislost na teplotě. Mám pravdu? Pokud ano, proč používat bandgap reference, ale ne tohle?
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
M
mpig09
Guest
Vážení fanrong: Správně! Poskytnete-li PTAT aktuální, můžete jej zrušit negativní koeficient Temp! mpig
R
rf_ray
Guest
GM se mění s teplotou.
J
jfyan
Guest
[Quote = fanrong] Ahoj všichni: Mám jednu otázku: Pro diodu, GM = Id / VT, takže když se Id PTAT, pak VF je nezávislost na teplotě. Mám pravdu? Pokud ano, proč používat bandgap reference, ale ne tohle? [/Quote] Dobrý den, mohl byste uvést své problémy jasněji, mi líto, nemohu pochopit, na vaši otázku velmi dobře. Díky, Jeff
C
cougar168
Guest
[Quote = fanrong] Ahoj všichni: Mám jednu otázku: Pro diodu, GM = Id / VT, takže když se Id PTAT, pak VF je nezávislost na teplotě. Mám pravdu? Pokud ano, proč používat bandgap reference, ale ne tohle? [/Quote] dioda má jen dva terminály Myslím, že GM není parametr popsat diodu
M
mdanaie
Guest
Především je-li ID PTAT pak Gm konstantní to neznamená, že V je teplotně nezávislá Za druhé, musíte bandgaps být schopný produkovat ovlivnění napětí a proudů. Dalo by se použít diod pro tento účel