D
dipak.rf
Guest
Hey whats technický rozdíl, pokud mohu použít pn křižovatka dioda, nebo BJT jako dioda v mém obvodu a rozvržení?
Zní 7 minut:
Zní 7 minut:
Navigation
Install the app
How to install the app on iOS
Follow along with the video below to see how to install our site as a web app on your home screen.
Note: This feature may not be available in some browsers.
More options
You are using an out of date browser. It may not display this or other websites correctly.
You should upgrade or use an alternative browser.
You should upgrade or use an alternative browser.
X
xulfee
Guest
používáte-li ur BJT společné základní konfiguraci to bude fungovat jako dva zády k sobě diody
D
dipak.rf
Guest
xulfee napsal:
používáte-li ur BJT společné základní konfiguraci to bude fungovat jako dva zády k sobě diody
používáte-li ur BJT společné základní konfiguraci to bude fungovat jako dva zády k sobě diody
S
saro_k_82
Guest
Dioda-připojený tranzistor poslouchá dioda rovnice lépe než-pn křižovatka dioda pro větší rozsah proudu (asi 7 let)
I když to je jen dioda je stále aktivní zařízení.Kolektor proud je mnohem vyšší než základní proud.
Účinek základny šíření rezistence je velmi nízká (vysoká beta) v případě, tx, ale ne tak v případě, pn dioda.
Pro dobrý tranzistor, musíte silně dopovaných znečišťovatelem, mírně dopované tenké základny regionu, a velký lehce dopoval kolektor, který je snadno dostupný v procesu CMOS., Zatímco pro diodu musíte téměř totožné n a p regiony a očekávají nízké řady odporů.
Člověk by tak jako tak potřebovat jednu nwell budovat pracovní dioda (BG) v procesu CMOS., Takže používat tranzistor, který se formuje a dosáhnout lepších výsledků ...
Jedná se pouze pokud je mi známo ... Experti mohou skočit do více pádné důvody, proč
I když to je jen dioda je stále aktivní zařízení.Kolektor proud je mnohem vyšší než základní proud.
Účinek základny šíření rezistence je velmi nízká (vysoká beta) v případě, tx, ale ne tak v případě, pn dioda.
Pro dobrý tranzistor, musíte silně dopovaných znečišťovatelem, mírně dopované tenké základny regionu, a velký lehce dopoval kolektor, který je snadno dostupný v procesu CMOS., Zatímco pro diodu musíte téměř totožné n a p regiony a očekávají nízké řady odporů.
Člověk by tak jako tak potřebovat jednu nwell budovat pracovní dioda (BG) v procesu CMOS., Takže používat tranzistor, který se formuje a dosáhnout lepších výsledků ...
Jedná se pouze pokud je mi známo ... Experti mohou skočit do více pádné důvody, proč