Saturation Aktuální rovnice

[aryajur]

Saturace proud rovnice je:

I = K (Vgs-V.) ˛ (1 λ Vds)

Pro PMOS jsem simulovat a spiknutí IV křivek pro Vgs = 0.65V a Vgs = 0.8V pro 0.25um procesu (Vth0 = 0,558; uo = 100e-4; Cox = 6.06e-3 => uo Cox = 0.606e - 4).
Z křivky, kdy jsem si spočítat KI následující výsledky:

Vgs = 0,65, K = 3.09e-4
Vgs = 0,8, K = 1.19e-4

Chápu, že mobilita je závislá na Vgs.Klesá pro zvýšení Vgs, uo jsou vysoké oblasti mobility.Ale jak se stát K více než 0.606e-4, předpokládám, to znamená, že mobilita je ze simulace> nízká oblasti mobility uo.
Jestliže má někdo představu, proč mám tak vysokou hodnotu K pak prosím odpověď.Díky.

 

[aryajur]

Jinou věcí je confusng K nárůstu NMOS zvýšením Vgs, zatímco u PMOS klesá s rostoucí Vgs.

 

[Humungus]

Myslím, že problém pochází ze skutečnosti, že rovnice příspěvek je platný pouze pro silné hluboké inverze.Pokud váš V. je 0,558 a můžete simulovat na Vgs = 0,65, jste většinou mezi slabým a středně inverze.V tomto případě je tranzistor je většinou řídí difúze jevů, což znamená, že vztah mezi Id, Vgs a V. je exponenciální, podobně jako u bipolárního tranzistoru.Pokud jste model EKV.Dokonce i na Vgs = 0.8V, stále jsou mírné inverze, takže ani WI ani SI přiblížení jsou platné.To je důvod, proč máš podivné hodnoty K, které pocházejí z velmi jednoduchého modelu.

 

[aryajur]

Díky, myslela jsem na totéž, ale pak přišla otázka, co je kritéria pro rozhodování o tom, V. hodnotu pro tranzistory.To je psáno do 3 desetinná místa, tak to musí být něco zcela přesné.Jak je to stanoveno z křivek (všechny křivky) pro MOS?

 

[ocarnu]

V. má fyzikální menaing: je napětí, na které poplatek ve Chanell stává 0 (beween akumulace a inverze).Pokuste se dozvíte více o fyzice CMOS, vzorce pro ruční výpočty mají velmi omezené použití.

 

[Humungus]

V. v daný model je pouze montáž parametr.Obecně to není jedno, jak fyzické ocarnu poukázal.V. uveden v modelových kartách jsou získány několika způsoby: lineární interpolace nejjednodušší kvadratické rovnice SI s osou Vgs v Id-Vgs courbe, druhý derivát gm vs Vgs, atd.

Mimochodem, všechny získané hodnoty, sey, do 15% variability jeden druhého.

EKV model nabízí vynikající aproximace ve všech oblastech činnosti.

 

[thcm]

aryajur, tato rovnice je jen dobře pro dlouhé kanál zařízení (L> 2um), pro zařízení DSM, posuzování vlivů
jako je rychlost a mobilita satuaration degradace atd., zařízení IV hodnoty výrazně odchyluje od hodnoty vypočítané podle rovnice tebe dát pozor.

Nicméně, pro ruční výpočet, můžete si představit
výraz 1 / (1 theta (vgs-vt)), aby obsahuje tyto účinky.