V přípravné fázi, je celý otevřený PN křižovatka diody potažené vrstvou pasivace skla. Pasivace sklo vrstva se nanáší na celý řezací plocha každého čipu diody a vystřelil odděleně během přípravy procesu. Otevřít PN skla pasivovaný diody křemíkové polovodiče čipu má pozitivní zkosený řez, čímž se závěrné napětí rezistence může být zvýšena a možnost úniku může být snížena.
This site uses cookies to help personalise content, tailor your experience and to keep you logged in if you register.
By continuing to use this site, you are consenting to our use of cookies.
