Spolehlivost Zkontrolujte

[Valoun]

Mohl by mi někdo nabídnout nějaké materiály nebo kniha o CMOS spolehlivost téma jako NCS (mimo vedení stres) HCS (hot dopravce stres)?Nebudu plán mít hluboké porozumění, ale je lepší show mi obrázek.
Díky

 

[news]

<a href="http://www.komputerswiat.pl/nowosci/internet/2011/11/xxx-domena-dedykowana-porno.aspx"> <img align="left" src="http://www.komputerswiat.pl/media/2011/78/1795823/xxx-zaj.jpg" /></a> Świat czerwonych latarni w końcu doczekał się własnego oznaczenia w sieci.<img width='1' height='1' src='http://rss.feedsportal.com/c/32559/f/491281/s/137a4767/mf.gif' border='0'/><br/><br/><a href="http://da.feedsportal.com/r/98132001315/u/0/f/491281/c/32559/s/137a4767/a2.htm"><img src="http://da.feedsportal.com/r/98132001315/u/0/f/491281/c/32559/s/137a4767/a2.img" border="0"/></a>

Read more...

 

[DoctorProf]

Mnozí z hlavních dodavatelů polovodičových mít doklady na své webové stránky s popisem wearout mechanismy.Hlavní wearout mechanismy CMOS jsou:

Electromigraion - kovové vrstvy vyměšování současnými toky
Stres migrace - kovové vrstvy vyměšování kvůli mechanickému namáhání
Hot Nosič - NMOS, NPN degradace způsobené vysokou energetickou dopravci
NBTI - (negativní bias teploty Nestabilita) PMOS zařízení
TDDB - Čas Vyživované Dielektrické Rozpis (brány, oxid capactior oxid)

I udělal třeštit Hledat "polovodičových selhání mechanismů" a dostal asi 106k hity.Hledáte prostřednictvím těchto vidím několik větších výrobců:

http://www.mitsubishichips.com/reliability/
http://www.sony.net/Products/SC-HP/tec/catalog/qr.html

Chtěl bych vám navrhnout vzhled celého internetu a podívat se, co je k dispozici zdarma a pak byste mohli také vyhledávat Amazon nebo BarnsandNoble pro knihy, které jsou k dispozici na Semiconductor Selhání mechanismů.

Dr.Prof

 

[btoner]

Výchozím místem může být JEDEC JESD28-dokumentu.Uvádí testovací metodiku pro horké dopravce vyšetření, parametr degradace a životnost extrapolace.Za normálních CMOS zařízení je dobrým výchozím bodem.Nejsem si jistý, zda-li tento doklad pokrýt oba NMOS / PMOS zařízení.Je zde mírné rozdíly v metodice.Také vysokonapěťová zařízení nesmí chovat tak, jak je uvedeno v ideálním případě jako v normě.

Brendan