Thick Oxide tranzistory

[Staré Nick]

Ahoj,

Já jsem v současné době pracuje s procesem AMS 3.3V c35u, mají 5V tlusté oxid tranzistory k dispozici v tomto procesu, který jsem byl požádán, aby design pár nárazníky se.Teď moje chápání těchto tranzistorů je, že extra oxidu na bránu umožňuje zvýšení napětí, ale to, co jsem byli požádáni, aby si je design jeden single stage op-amp, kolejnice z nichž jsou 5 a GND, thus umožňuje pro 3,3 vstup má být pseudo železniční-rail (i horní kolejnicí stejně).

Na okruhu jsem navrhl je dlouhý tailed Pair s-jsem zpětnou vazbu, takže 5V je nikdy nebude přes mozků a zdroj jednoho tranzistoru, ale nejsem si jist, že to je to, jak jsou tyto tranzistory měly být použity.
Může někdo objasnit.

Na zdraví,

Nick

 

[renwl]

nejen brány oxid, ale také diody mají průrazné napětí.

 

[engronger]

Nikdy jsem použít tlustý oxid tranzistory, ale jak vím, a to nejen VGS & VGD, ale také VdS musí zvážit přerušení napětí, takže váš návrh se musí postarat o nich.

Staré Nick napsal:

Ahoj,Já jsem v současné době pracuje s c35u 3.3V AMS procesu, mají 5V tlusté oxid tranzistory k dispozici v tomto procesu, který jsem byl požádán, aby design pár nárazníky se.
Teď moje chápání these tranzistorů je, že extra kysličník u brány umožňuje zvýšení napětí, ale co jsem byl požádán udělat, je design se na jednom podiu op-amp, kolejnice jsou 5 a GND, což by umožnilo 3,3 vstup má být pseudo železniční-rail (i horní kolejnicí stejně).Na okruhu jsem navrhl je dlouhý tailed Pair s-jsem zpětnou vazbu, takže 5V je nikdy nebude přes mozků a zdroj jednoho tranzistoru, ale nejsem si jist, že to je to, jak jsou tyto tranzistory měly být použity.

Může někdo objasnit.Na zdraví,Nick