Těžba klíčových parametrů pro analogové design

[leohart]

Ahoj kluci, co byste dělali, kdyby jste čelí nové analogové procesu před tím
vám design?

Pokud se klíčové parametry pocházejí? Jako k ', Vt, lambda, gama ... atd.

V Allen, řekl byste měli udělat, těžba, tak jsi to udělal sám?

Mám jen koření model souboru po ruce, a proces dokument dont mít všechny parametry, o to

 

[drabos]

můžete najít některé z parametrů na proces dokumentu, můžete čerpat tranzistor vlastností, z které můžete určit přibližné hodnoty pro všechny parametry, je možné dělat, a tyto modely v knihách, jsou obvykle Level 1 modely, nikdo provides úroveň 1 modely tehcnology, to nedává smysl.Každopádně budete vylepšit svůj okruh se simulátorem, takže bych řekl, obvykle k 'je dost pro první zhruba výpočty a poté můžete simulovat.Pravidla pro porovnávání ATC.jsou mnohem mportant ...a dnes se můžete setkat s mnoha problémy, kdy někdy simulátor není dostatečně přesný (SOE modely v kraji subthreshold ...), dle mého názoru v dnešní době potřebujete více intuicí, než papír výpočty a poté můžete upřesnit svůj nápad s simulátor ...

 

[layoutmaster]

1 - Extrahované parametry nemusí být skutečný, jsou závislí na tom, jak přesný je paluba extrakce dat se zřetelem na skutečný proces data ...

2 - Hlavní zdroj pro získávání, že parametry musí být proces manuální, nebo bez ohledu na tým, který EDA definována tak, že nový proces vám pro navrhování, protože jejich data přichází (alespoň by měl být příchod) z měření z některých křemíku běží dělají před každý proces uvolnění do návrhářských týmů.Co oni používají udělat, je, aby se série testovacích čipů v rámci nového procesu, tím, že umístí všechny dostupné komponenty ve všech dostupných parametrů změny s cílem shromáždit data pro budoucí projekty.

 

[leohart]

Ano, lépe se speciální čip data test, ale co mohu dělat, je virtuální data z koření, alespoň to něco znamená, když dělá design a ověřit s simulátor, ne?

Ve skutečnosti Id, GM, gmbs, V. je nejprve objednat přímo s rukou Vypočte se extrahuje parametr, a pokud je ruka caculation je nepodařilo, mohu získat tyto od ADE / print DC pracovní bod ... Ale oponování MOSFET je není uveden v bodu provozní DC, a ani je easliy extrahuje ... brzy napětí se liší s různými vdsat dokonce s konstantním L, je to úplně vysoká, aby efekt ...Je tam tak jako tak jsem si debakl od simulator? Ruky výpočtu doesnt práce i pro tento parametr ...

A já jsem také zjistil, vdsat uvedené v bodě provozní DC je v jistém smyslu menší než ruční výpočet, a od křivky I simulované, zdá se ruční výpočet je přesnější ...