zrcadlení proud

H

husseinadel

Guest
ahoj

Mohu použít násobení 100 v současné zrcadla?? i dont nestaral o přesné shody,,,, jaké chyby se očekává v tomto případě ,,,????

pozdravy

 
Pojawi? si? pierwszy owoc nawi?zanej w sierpniu ubieg?ego roku wspó?pracy mi?dzy Microsoftem oraz Noki? - aplikacja Microsoft Communicator Mobile dla urz?dze? Nokia. To integruj?cy si? z serwerowymi rozwi?zaniami Microsoft komunikator pozwalaj?cy sprawdza? dost?pno?? znajomych oraz komunikowa? si? z nimi na wiele ró?nych sposobów - za pomoc? IM, poczty e-mail, wiadomo?ci tekstowych lub rozmów...

Read more...
 
ano, můžete použít faktor 100 mezi dvěma tranzistory násobit proudu v zrcadle.

 
demodb napsal:

ano, můžete použít faktor 100 mezi dvěma tranzistory násobit proudu v zrcadle.
 
mluvíte nesoulad tu, protože vím, že to závisí na šířce tranzistorů.Aby byli širší bude snižovat nesoulad.

 
demodb napsal:

mluvíte nesoulad tu, protože vím, že to závisí na šířce tranzistorů.
Aby byli širší bude snižovat nesoulad.
 
od ur multipilcation faktorem je velký tj. 100.To bude mít za následek
1) větší plocha
2) zdroj do kanalizace a parazitární capacitence brány odpor

takže pro lepší přizpůsobení a snížení y / d u stropu musí spitt tranistor. i plivání je preferovaná, bude to snižuje ur oblasti, s / d capacitences a optimalizovat brány odpor.

w / l = 32 / 1 pak vylité do 16 / 2 16 / 2 pak dalších 8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2 tak dále.

Jako křižovatka capacitences je snížena rychlost tranistor zvýší

 
gharuda napsal:

w / l = 32 / 1 pak vylité do 16 / 2 16 / 2 pak dalších 8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2 tak dále.
 
Buďte velice opatrní hluku, pokud se množí proud faktorem 100x.Hluk diody připojené jediné zařízení bude velká v poměru k je současný stav.Tento šum se vynásobí koeficientem 100x.

Příklad:
Vynásobením proud 1UA na 100UA.
Transkonduktance 1. čtvrtletí (jedno zařízení) je nastaven na 3.7uMhos.
Transkonduktance 2. čtvrtletí (100x zařízení) je 270uMhos.

Hluk ve 2. čtvrtletí je 2pA/rtHz.Více než 100MHz pásmo, bylo by to 0.02uARMS.
Hluk v 1. čtvrtletí je 0.2pA/rtHz, což se zdá být menší, ale bude to vynásobí 100x poměrem proudů, aby výstup hluk 20pA/rtHz.Více než 100MHz pásmo je 0.2uARMS.

 
gharuda napsal:

od ur multipilcation faktorem je velký tj. 100.
To bude mít za následek

1) větší plocha

2) zdroj do kanalizace a parazitární capacitence brány odportakže pro lepší přizpůsobení a snížení y / d u stropu musí spitt tranistor. i plivání je preferovaná, bude to snižuje ur oblasti, s / d capacitences a optimalizovat brány odpor.w / l = 32 / 1 pak vylité do 16 / 2 16 / 2 pak dalších 8 / 2 8 / 2 8 / 2 8 / 2 tak dále.Jako křižovatka capacitences je snížena rychlost tranistor zvýší
 
JPR napsal:

Buďte velice opatrní hluku, pokud se množí proud faktorem 100x.
Hluk diody připojené jediné zařízení bude velká v poměru k je současný stav.
Tento šum se vynásobí koeficientem 100x.Příklad:

Vynásobením proud 1UA na 100UA.

Transkonduktance 1. čtvrtletí (jedno zařízení) je nastaven na 3.7uMhos.

Transkonduktance 2. čtvrtletí (100x zařízení) je 270uMhos.Hluk ve 2. čtvrtletí je 2pA/rtHz.
Více než 100MHz pásmo, bylo by to 0.02uARMS.

Hluk v 1. čtvrtletí je 0.2pA/rtHz, což se zdá být menší, ale bude to vynásobí 100x poměrem proudů, aby výstup hluk 20pA/rtHz.
Více než 100MHz pásmo je 0.2uARMS.
 
JPR napsal:

Buďte velice opatrní hluku, pokud se množí proud faktorem 100x.
Hluk diody připojené jediné zařízení bude velká v poměru k je současný stav.
Tento šum se vynásobí koeficientem 100x.Příklad:

Vynásobením proud 1UA na 100UA.

Transkonduktance 1. čtvrtletí (jedno zařízení) je nastaven na 3.7uMhos.

Transkonduktance 2. čtvrtletí (100x zařízení) je 270uMhos.Hluk ve 2. čtvrtletí je 2pA/rtHz.
Více než 100MHz pásmo, bylo by to 0.02uARMS.

Hluk v 1. čtvrtletí je 0.2pA/rtHz, což se zdá být menší, ale bude to vynásobí 100x poměrem proudů, aby výstup hluk 20pA/rtHz.
Více než 100MHz pásmo je 0.2uARMS.
 
Se svými dotazy, všiml jsem si, rozdíl v můj původní post: transkonduktance 2. čtvrtletí by měla být 370uMhos.

Transconductances, které jsem přednesl ve skutečnosti nebyly vypočteny z nějaké skutečné velikosti tranzistoru nebo procesu, jen asi za výchozí bod.

Hluk proudu v MOSFET je sqrt ((8 / 3) * K * T * GM), v ampérech / sqrt (frekvence).Stačí zasunout transkonduktance, a máte hluk proudu.

Opět, pro šířku pásma, prostě jsem se hádat.Nevím, kde proud je používán, a bez toho nemohu specifikovat šířku pásma.Jednoduše vynásobte hluku proud sqrt hluku-pásma k získání úrovně hluku.

Jak může být tento zlepšit?Moje první sklon by se nepoužívají jako malý proud generovat vaše větší currrent, pokud je to možné.

V závislosti na aplikaci hluk šířku pásma, můžete být schopni filtrovat u bran aktuální zrcadlo ke snížení vysoké frekvenci tepelný šum.Mějte na paměti, že nízké frekvence tepelné a blikání hluku bude ještě násobí.

Dalším způsobem, jak snížit hluk je snížit transconductances v současném zrcadle.Je-li W / L poměr tranzistorů je omezen, bude transconductances klesá.Je-li šířka je snížena o 2x a délka vzrostla o 2x, bude transkonduktance snížit o 4x a hladina hluku sníží o 2x.Samozřejmě, že existují určité hranice, to, jak napětí Vgs zvýší, a minimální Vds napětí pro proudové zrcadlo zvýší.

 
Obecné řečeno faktor násobení současného zrcadla je nižší než 20.

 
You must log in or register to reply here.

Welcome to EDABoard.com

Sponsor

Back
Top